日前，SK海力士宣布與台積電正式簽署諒解備忘錄（MOU），合作推進HBM4的研發，並通過先進的封裝技術增強邏輯和HBM的集成度, 預計HBM4將于2026年開始量産。

一直以來，SK海力士在HBM市場都占據著主導地位，並且與台積電一同作爲美國芯片巨頭英偉達的頂級供應商。

自2022年底OpenAI推出ChatGPT以來，邏輯半導體（處理器、存儲芯片）等需求激增，英偉達在全球的AI革命中占據了主動權。此後，蘋果、微軟、亞馬遜等科技巨頭也紛紛加入了AI浪潮。

據介紹，HBM即高帶寬存儲器，是一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM（動態隨機訪問存儲器），適用于高存儲器帶寬需求的應用場合，如GPU、路由器、交換器等，目前來說，HBM是當下數據處理速度最快的DRAM産品。

2013年，SK海力士首度宣布成功開發出HBM技術，HBM1通過AMD的Radeon R9 Fury顯卡登場。該技術通過堆疊內存芯片，並通過硅通孔（TSV）連接，從而顯著提高了內存帶寬。後來，HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E也陸續亮相HBM系列。

直到HBM3E（第五代），SK海力士均采用自家制程工藝生産HBM産品，該技術通過將內存芯片以硅通孔（TSV）連接並堆疊，從而顯著提高了內存帶寬。而從HBM4（第六代）開始，該公司將采用台積電的先進邏輯工藝，初期目標以改善HBM封裝內最底層基礎裸片（Base Die）的性能爲主。

此後，雙方還將優化SK海力士的HBM和台積電的CoWoS技術的整合，從而在性能和效率等方面合作應對客戶對HBM的共同要求。據了解，CoWoS（晶圓上芯片基板封裝）是台積電專有的封裝工藝，又稱“2.5D封裝”，該技術將邏輯芯片和3D的HBM整合成一個模組，再加裝到2D封裝基板上。

SK海力士表示，雙方的合作將爲HBM領域帶來更豐富的技術創新，另還有望通過産品設計、晶圓代工與內存的三方合作，打破AI應用的內存性能限制。未來，AI半導體將從HBM時代的2.5D封裝走向3D堆疊邏輯芯片和存儲芯片的新型高級封裝。

SK海力士總裁兼AI Infra負責人Justin Kim表示：“通過與台積電的合作夥伴關系，我們不僅可以開發出最高性能HBM4，還將積極拓展與全球客戶的開放性合作。今後，公司將增強客戶定制化存儲器平台的競爭力，進一步鞏固公司作爲AI存儲器全方位供應商的市場領導地位。”

台積電業務發展高級副總裁Kevin Zhang表示：“展望新一代HBM4，我們相信兩家公司將繼續密切合作，提供最佳集成解決方案，爲我們的共同客戶開啓更多的AI創新。”

根據市場公開信息，目前只有SK海力士、美光科技和三星電子能夠提供與高性能GPU（如英偉達H100）匹配的HBM芯片。

前段時間，美光科技也宣布開始兩場HBM3E芯片；三星也發布了業界容量最大的36GB HBM3E 12H芯片，英偉達已對該芯片進行了資格認證。

據Trendforce預計，SK海力士將于今年占據全球市場52.2%的份額，三星（42.4%）、美光（5.1%）緊隨其後。另外，HBM在DRAM行業的收入份額在2023年超過了8%，2024年或可達到20%。

普華永道高科技行業研究中心主任Allen Cheng肯定了SK海力士與台積電的此次合作。他認爲，台積電幾乎所有主要客戶都在研發尖端AI芯片，該夥伴關系的進一步加深意味著SK海力士可以爲其HBM産品吸引到更多客戶。