5月16日消息，韓國存儲芯片大廠SK海力士在今年的IEEE IMW國際存儲研討會上，透露了HBM4E內存開發周期已縮短到一年，也介紹更多細節。SK海力士技術人員Kim Kwi Wook表示，SK海力士正在基于第六代10nm級1c制程32Gb DRAM裸片構建HBM4E內存。

目前三大內存芯片廠商均尚未量産第六代10nm級1c制程DRAM內存顆粒，但三星、SK海力士首批六代10nm級1c制程DRAM預定于今年量産。相比之下，美光要到2025年才量産，新DRAM內存顆粒有望使密度和能效更改進。

據了解，SK海力士已經量産的HBM3E采用的是第五代10nm級1b制程DRAM，尚未確認HBM4是否更新DRAM裸片制程。

據韓媒The Elec報導，SK海力士將HBM4量産時間提前到2025下半年，沿用第五代10nm級1b制程更符合研發節奏。

目前主流的HBM3E産品均采24Gb DRAM顆粒，HBM3E可因八層堆疊達24GB單堆疊容量，如果12層堆疊，HBM3E堆疊後容量可達36GB。將來HBM4E更新到32Gb DRAM裸片後，12層堆疊就能達48GB單顆容量，16層版更是可以達到64GB的超大容量，爲AI創造更多的可能應用的場景。

Kim Kwi Wook預計，HBM4E內存可較HBM4帶寬提升40%、密度提升30%，同時能效也提高30%。談到混合鍵合看法，Kim Kwi Wook認爲目前仍有良率不佳問題，SK海力士下代HBM4采用混合鍵合可能性不大。

編輯：芯智訊-林子