英特爾與美國防部加強合作采用18A工藝生産芯片

ICGOO在線商城 2024-04-23 16:13:24

美國芯片制造巨頭英特爾與美國國防部加強合作,共同研發全球最尖端的芯片制造工藝。這一合作是雙方在兩年半前簽署的“快速可靠微電子原型”(RAMP-C)項目的延續和深化。

此次合作將使美國政府首次能夠獲得用于制造尖端芯片的領先技術。雙方將合作生産采用英特爾未來 18A 制造工藝的芯片樣品,18A 制造工藝通常用于高性能計算和圖形處理領域,需要芯片具有強大的運算能力。

制造用于美國國家安全應用的 18A 芯片是英特爾與其 DIB(即國防工業基地)客戶合作的一部分,其中包括像諾格公司和波音這樣的國防承包商,以及微軟、英偉達和 IBM 等商用領域巨頭。

18A 是英特爾下一代制程工藝,根據該公司此前公布的信息,其前一代 20A 制程預計將在 2024 年投入生産。英特爾去年年底公布了 18A 制程的關鍵細節,公司 CEO 帕特・基辛格 (Patrick Gelsinger) 表示 18A 制程的研發進度領先于預期。

英特爾在聲明中表示,RAMP-C 項目的第三階段突顯了其 18A 制程技術、知識産權和生態系統解決方案已經爲量産做好了准備。基辛格還特別強調了英特爾 18A 芯片的優異功耗管理能力,認爲其優于台積電的 2 納米制程工藝。

從命名上看,英特爾 18A 制程相當于 1.8 納米制程。在芯片制造領域,制程越小越好,因爲更小的電路可以改善電導率和性能。現代芯片可以在極小的空間內塞下數十億個晶體管,從而處理更多的數據。

美國國防部微電子工程負責人謝諾伊博士 (Dr. Dev Shenoy) 表示,五角大樓預計將在 2025 年完成使用英特爾 18A 制程芯片的原型生産。RAMP-C 項目的第三階段將專注于芯片設計的定型,這是設計流程的最後階段,工程師將把設計概念轉化爲指導芯片制造機器的掩模版。

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