今年2月份，ASML在荷蘭總部向媒體公開展示了其最新一代的High-NA EUV光刻機。作爲2nm及以下先進制程的必備“武器”，High-NA EUV雖然性能強大，但價格卻十分昂貴，並且安裝起來也非常耗時。
下一代光刻機，裏程碑英特爾代工廠今天發表聲明表示，公司先進半導體制造領域的一個重要裏程碑，完成了業界首個商用高數值孔徑（高數值孔徑）極紫外（EUV）光刻掃描儀的組裝，該掃描儀位于該公司俄勒岡州希爾斯伯勒的研發基地。
按照英特爾所說，這個名爲TWINSCAN EXE:5000 系統裝在43個貨運集裝箱內的 250 多個板條箱中運輸到俄勒岡州。這些貨物被裝載到降落在西雅圖的多架貨機上。然後，他們被轉移到 20 輛卡車上，開往俄勒岡州。每個新系統的總重量超過 150 噸。
據介紹，高數值孔徑 EUV 光刻是超越 EUV 光刻的進化步驟，EUV 光刻使用地球上不自然存在的光波長 (13.5 nm)。這種光是由強大的激光撞擊加熱到近 22 萬攝氏度的錫滴而産生的——幾乎比太陽平均表面溫度高 40 倍。這種光從包含所需電路圖案模板的掩模上反射，然後通過由有史以來最精確的鏡子構建的光學系統。
數值孔徑 (NA) 是收集和聚焦光線能力的衡量標准。通過改變用于將圖案投影到晶圓上的光學器件的設計，高數值孔徑 EUV 技術在分辨率和晶體管尺寸方面取得了重大進步。制造這些更小尺寸晶體管的能力還需要新的晶體管結構以及英特爾正在開發的與第一個高數值孔徑 EUV 系統集成並行的其他工藝步驟的改進。
英特爾方面表示，來自光刻領導者 ASML 的英特爾 TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV 工具目前正在進行校准步驟，爲英特爾未來工藝路線圖的生産做准備。該新工具能夠通過改變將打印圖像投影到硅晶圓上的光學設計，顯著提高下一代處理器的分辨率和功能擴展。
英特爾院士兼英特爾代工邏輯技術開發光刻、硬件和解決方案總監Mark Phillips表示：
“隨著高數值孔徑 EUV 的加入，英特爾將擁有業界最全面的光刻工具箱，使該公司能夠在本十年後半段推動超越英特爾 18A 的未來工藝能力。”
英特爾表示，高數值孔徑 EUV 工具將在先進芯片開發和下一代處理器的生産中發揮關鍵作用。英特爾代工廠是業界高數值孔徑 EUV 的先行者，將能夠在芯片制造方面提供前所未有的精度和可擴展性，使該公司能夠開發具有最具創新性的特性和功能的芯片，這對于推動人工智能的進步至關重要和其他新興技術。
爲Intel 14A工藝開發做好准備據介紹，Intel20A工藝將是英特爾的下一代制程工藝。該工藝將采用更先進的制程技術，實現更高的晶體管密度和更低的功耗水平。預計該工藝的晶體管密度將比Intel14A工藝提升約35%，並且能效也將進一步改善。這將爲未來更高性能、更低功耗的芯片設計提供更多的可能性。
同樣，Intel18A工藝也是英特爾的一項重要規劃。該工藝將在Intel20A工藝基礎上進一步改進，實現更高的晶體管密度和更低的功耗。據預測，Intel18A工藝的晶體管密度將比Intel20A工藝提升約10%。這將進一步提升芯片性能，並爲更複雜、功能更強大的應用場景提供支持。
雖然這些工藝還處于規劃和研發階段，但其未來潛力令人期待。英特爾作爲一家全球領先的半導體制造商和技術創新企業，持續投入並推動制程技術的進步，爲未來數字化社會的需求做好准備。
值得注意的是，在制程研發領域的競爭不斷加劇。台積電等競爭對手也在積極研發和推出更先進的制程工藝。英特爾需要保持持續的研發投入和創新，以確保在全球半導體市場中保持競爭優勢。
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