BEUV技術：EUV光刻機後的新路線！

我們都知道，在過去的幾十年裏，芯片的制造過程，特別是光刻技術得到了很大的發展。光刻技術是一種利用光線在硅片上投影電路的基本設備。

同時，光刻工藝也直接影響到芯片的制作過程，進而影響到芯片的性能。

光刻技術，綜合物理學，光學，精密儀器，高分子物理與化學，數學，材料，自動化，流體力學，高精密環境控制，軟件等40多個專業領域。

于是，經過一輪又一輪的淘汰，全世界只剩下了 ASML，尼康，佳能，上海微電子。ASML是一家壟斷企業，市場占有率高達90%。

然而，光刻技術從波長出發，從最早的波長435納米、365納米到248納米、193納米，再到如今的極紫外（13.5 nm）、紫外波段（193 nm）、紫外波段（EUV）。

光源確定後，第二步是增加投影光刻透鏡的數值孔徑 NA，因爲較大的 NA值可以使更多的光線穿過透鏡，獲得更高的能量，從而更有效地控制和更高的分辨率。

第三個方面爲減少光刻過程系數，此參數與光源及系統密切相關。

目前最先進的 EUV光刻技術，光源波長13.5納米， NA0.55，難以進一步提高，即使實現，成本也很高。

同時， EUV光刻工藝系數已達0.25，這也是難以突破的理論極限，難以進一步提高 EUV光刻工藝。

所以 ASML之前就說，極紫外光刻技術很難進一步發展，原因是光刻過程的 NA因子已經到達了極限。

因此，未來光刻技術的進一步發展仍依賴于光源的波長，但是我們知道，波長是不斷變化的，而光刻技術也是一代又一代的進步。

最初的升級主要是光源的升級，然後是各種光源的升級， NA驅動器的變化，以及光刻過程的變化。

在13.5 nm以後，波長會發生怎樣的變化？科學家提出一種新的解決方法，稱爲 BEUV技術。

X納米，比 EUV所用的13.5納米要短，所以有更高的分辨率，更大的景深，以及更大的加工誤差。

當采用6. Xnm波長時，也可對影響光刻過程的 NA值進行調整，使之適應新一輪的變化。

根據研究者們的預測，2035年後， BEUV光刻將取代 EUV光刻，芯片制造工藝將達到1 nm以下，只有 BEUV光刻可以勝任。

過去我們落後于世界先進光刻技術，再加上 BEUV技術，也不要急著先做准備，先讓別的廠商先分類捆綁，再趕上全球水准，光刻技術才不至于卡在喉嚨裏，只等著看結果。