在科技行業風起雲湧的當下，英特爾的一則重磅消息讓全球芯片市場再次沸騰。這家芯片巨頭近日正式公布了其“特供版芯片”，並以高達92%的降價幅度震驚了業界。這一驚人的價格調整不僅引發了廣泛的關注和討論，也讓人們開始重新審視英特爾的市場策略、技術創新以及未來的發展方向。

英特爾正在按計劃實現其“四年五個制程節點”的目標，目前，Intel 7，采用EUV（極紫外光刻）技術的Intel 4和Intel 3均已實現大規模量産。正在順利推進中的Intel 20A和Intel 18A兩個節點，將繼續采用EUV技術，並應用RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術，助力英特爾于2025年重奪制程領先性。

在“四年五個制程節點”計劃之後，英特爾將繼續采用創新技術推進未來制程節點的開發和制造，以鞏固制程領先性。High NA EUV技術是EUV技術的進一步發展。數值孔徑（NA）是衡量收集和集中光線能力的指標。通過升級將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學系統，High NA EUV光刻技術能夠大幅提高分辨率，從而有助于晶體管的進一步微縮。

作爲Intel 18A之後的下一個先進制程節點，Intel 14A將采用High NA EUV光刻技術。此外，英特爾還公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的數個演化版本，以幫助客戶開發和交付符合其特定需求的産品。

英特爾代工廠今天發表聲明表示，公司先進半導體制造領域的一個重要裏程碑，完成了業界首個商用高數值孔徑（高數值孔徑）極紫外（EUV）光刻掃描儀的組裝，該掃描儀位于該公司俄勒岡州希爾斯伯勒的研發基地。

按照英特爾所說，這個名爲TWINSCAN EXE:5000 系統裝在 43 個貨運集裝箱內的 250 多個板條箱中運輸到俄勒岡州。這些貨物被裝載到降落在西雅圖的多架貨機上。然後，他們被轉移到 20 輛卡車上，開往俄勒岡州。每個新系統的總重量超過 150 噸。

據介紹，高數值孔徑 EUV 光刻是超越 EUV 光刻的進化步驟，EUV 光刻使用地球上不自然存在的光波長 (13.5 nm)。這種光是由強大的激光撞擊加熱到近 22 萬攝氏度的錫滴而産生的——幾乎比太陽平均表面溫度高 40 倍。這種光從包含所需電路圖案模板的掩模上反射，然後通過由有史以來最精確的鏡子構建的光學系統。

數值孔徑 (NA) 是收集和聚焦光線能力的衡量標准。通過改變用于將圖案投影到晶圓上的光學器件的設計，高數值孔徑 EUV 技術在分辨率和晶體管尺寸方面取得了重大進步。制造這些更小尺寸晶體管的能力還需要新的晶體管結構以及英特爾正在開發的與第一個高數值孔徑 EUV 系統集成並行的其他工藝步驟的改進。

英特爾方面表示，來自光刻領導者 ASML 的英特爾 TWINSCAN EXE:5000 High NA EUV 工具目前正在進行校准步驟，爲英特爾未來工藝路線圖的生産做准備。該新工具能夠通過改變將打印圖像投影到硅晶圓上的光學設計，顯著提高下一代處理器的分辨率和功能擴展。

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