據業內人士透露，SK 海力士正在准備第六代 10nm 級別的 1cnm 工藝的産品，已經制定了對應的客戶認證及生産計劃，打算在 2024 年第三季度量産，這將領先于競爭對手三星。相比于現在的 1 β nm 工藝産品，1cnm 工藝在同樣采用 EUV 光刻技術的情況下，每片晶圓可生産更多數量的芯片，並實現更高的功率效率。

SK 海力士將加快英特爾數據中心的存儲器産品兼容性驗證步伐，以便 1cnm DDR5 DRAM 量産後能夠迅速進入市場，第一時間供應給亞馬遜和微軟等主要客戶。SK 海力士去年正是把握了 1 β nm   DDR5 DRAM 搶先通過驗證及上市的機會，獲得了相當部分的數據中心 DDR5 內存産品的市場份額，一定程度上彌補了存儲器市場低迷造成的損失。

三星上個月在美國硅谷舉行的 "Memcon   2024" 全球半導體大會上表示，計劃今年底量産 1cnm DRAM 産品，12 月前獲得客戶驗證。