衆所周知，目前全球僅ASML一家能夠生産EUV光刻機。

目前ASML對外出貨的光刻機，其實均是數值孔徑NA=0.33的光刻機，這種稱之爲低數值孔徑的光刻機，一般用于3nm-7nm芯片的光刻。

而當芯片進入到3nm之下，也就是2nm、1.4nm、1nm芯片時，需要用到高數值孔徑的光刻機，也就是NA=0.55的光刻機，型號應該是EXE：5200。

前段時間ASML終于將全球首台高數值孔徑的光刻機EXE：5200，交付給了英特爾。

這台光刻機有多恐怖？首先是售價高達3.5億歐元（約合27億元人民幣）。同時其大小約等于一輛雙層巴士，重量高達150噸，也就是150000KG。

而這樣的光刻機，是無法安裝完全後，再運輸的，運輸時以會拆開，以組件的方式運送到客戶單位，然後再組裝。

運送的時候，需要用到250個貨箱，而安裝的時候，需要用到250名工程師，然後需要6個月的時間，才能全部組裝完成，並聯調到位。

所以，雖然ASML向英特爾交付了全球首台高數值孔徑的EUV光刻機，但實際上，只是運送到英特爾，接下來這台光刻機正式啓用運轉，至少得半年之後。

而按照英特爾的計劃，自己的INTEL 2工藝，也就是2nm芯片，得到2025年才能制造出來，所以這台光刻機的實際運轉日期，也會到2025年去了。

之前ASML的總裁稱，當數值孔徑達到0.55之後，暫時可能就會告一段落了，甚至是最後一代EUV光刻機都有可能，ASML表示在現有技術條件之下，他們無法再提升數值孔徑了。

目前EUV光刻機提升分辨率，有三個方向，一是降低光源波長，但13.5nm的極紫外線已經是極限，無法再降低了。二是提升數值孔徑，但這一步也卡住了，ASML表示無法提升了，0.55是極限了。

還有就是提升光刻工藝因子，但目前的技術，也接近物理極限，無法提升了。

短時間來看，三個方向都是絕路，也就意味著EUV光刻機的分辨率暫時無法提升了，那麽接下來，EUV光刻機的發展，會朝哪個方向呢？誰也不清楚。

那麽佳能的NIL納米壓印等，在未來會不會接替EUV光刻機，成爲主流呢？