目前IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力,良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩定性和可靠性極爲重要。可靠的
電動汽車近幾年的蓬勃發展帶動了功率模塊封裝技術的更新叠代。各種各樣的封裝技術追求的目標是更高的功率密度,更高的散熱效率,
功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力,良好的熱管理對其穩定性和可靠性極爲重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率
損耗太大,開關dvdt過快,EMC過不了……這些都是設計電機驅動時常遇見的問題,而且它們還此消彼長。工程師們一般是根據實
超結(Superjunction)是一種特殊的MOSFET結構,通過減小導通電阻實現了更低的功耗。該技術被廣泛應用于高壓
IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件,只有門極電壓超過阈值才能開通。工作時常被看成一個高速開關,在實際使用中會産生很高
短路不可怕IGBT主要用于電機驅動和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統可靠運行和安全的保障之一,短路保護可以通過串在
當前的新能源車的模塊系統由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機等,但是這些都是發展比較成熟的産品,國內外的模塊廠商
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種複合全控型
近年,新能源汽車在全球各大主流汽車市場取得了長足發展,根據歐洲汽車制造商協會ACEA的數據,2023年1-10月歐盟國家
新能源汽車用IGBT模塊:市場潛力與應用新能源汽車(NEV)領域的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊正逐漸成爲汽車行業的關
本文精選了2023年內全球半導體行業最重要的9項技術創新,並詳細講解了這些技術。從新型熱晶體管到速度更快的半導體材料,這
通常我們對某款IGBT的認識主要是通過閱讀相應的datasheet,數據手冊中所描述的參數是基于一些已經給定的外部參數條
背景:近年,新能源汽車在全球各大主流汽車市場取得了長足發展,根據歐洲汽車制造商協會ACEA的數據,2023年1-10月歐
IGBT芯片在模塊內工作時面臨高壓大電流環境,每個芯片因位置差異導致其溫度各不相同,因此直接精准測量每個芯片的結溫基本上
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